Các van bán dẫn sử dụng vật liệu wide-gap như SiC và GaN, hiện đang rất phổ biến với các thiết kế bộ biến đổi hiệu suất cao. Trên thực tế, việc tích hợp các van bán dẫn này có thể đạt được mức mật độ và hiệu suất năng lượng cao hơn nhiều so với sử dụng các van bán dẫn của thế hệ trước theo công nghệ silicon. Bài báo này đánh giá sơ đồ VIENNA 3 Mức tần sốc ao điều khiển PWM sử dụng van bán dẫn SiC và GaN trong đó MOSFET SiC sẽ được coi là ưu tiên. Hơn nữa, kết quả nghiên cứu về khả năng chịu lỗi của mạch điện cũng như giải pháp để bảo vệ mạch điện cũng được đề xuất và trình bày. Các tính toán và mô phỏng bằng phần mềm PSIM xác nhận tính hiệu quả của bộ biến đổi cũng như giải pháp bảo vệ được đề xuất.